ICวงจรรวม

วงจรรวม

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี

บทความนี้ไม่มีการอ้างอิงจากเอกสารอ้างอิงหรือแหล่งข้อมูล โปรดช่วยพัฒนาบทความนี้โดยเพิ่มแหล่งข้อมูลน่าเชื่อถือ เนื้อหาที่ไม่มีการอ้างอิงอาจถูกคัดค้านหรือนำออก

วงจรรวม

วงจรรวม หรือ วงจรเบ็ดเสร็จ (อังกฤษ: integrated circuit ; IC) หมายถึง วงจรที่นำเอาไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวต้านทาน, ตัวเก็บประจุ และองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ มาประกอบรวมกันบนแผ่นวงจรขนาดเล็ก ในปัจจุบันแผ่นวงจรนี้จะทำด้วยแผ่นซิลิคอน บางทีอาจเรียก ชิป (Chip) และสร้างองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ ฝังอยู่บนแผ่นผลึกนี้ ส่วนใหญ่เป็นชนิดที่เรียกว่า Monolithic การสร้างองค์ประกอบวงจรบนผิวผลึกนี้ จะใช้กรรมวิธีทางด้านการถ่ายภาพอย่างละเอียด ผสมกับขบวนการทางเคมีทำให้ลายวงจรมีความละเอียดสูงมาก สามารถบรรจุองค์ประกอบวงจรได้จำนวนมาก ภายในไอซี จะมีส่วนของลอจิกมากมาย ในบรรดาวงจรเบ็ดเสร็จที่ซับซ้อนสูง เช่น ไมโครโปรเซสเซอร์ ซึ่งใช้ทำงานควบคุม คอมพิวเตอร์ จนถึงโทรศัพท์มือถือ แม้กระทั่งเตาอบไมโครเวฟแบบดิจิทัล สำหรับชิปหน่วยความจำ (RAM) เป็นอีกประเภทหนึ่งของวงจรเบ็ดเสร็จ ที่มีความสำคัญมากในยุคปัจจุบัน

ประวัติไอซี

ไอซี กำเนิดขึ้นโดย Geoffrey W.A. Dummer นักวิทยาศาสตร์เรดาร์จากอังกฤษ ต่อมาได้ย้ายไปทำการค้นคว้าต่อที่สหรัฐอเมริกา โดยสามารถสร้างไอซีจากเซรามิกส์ตัวแรกได้ในปี ค.ศ. 1956 แต่ยังไม่ประสบผลสำเร็จนัก ต่อมาในปี ค.ศ. 1957 กองทัพสหรัฐอเมริกานำโดยแจ็ก คิลบีได้ทำการค้นคว้าทดลองต่อ ในวันที่ 6 กุมภาพันธ์ ค.ศ. 1959 คิลบีได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากเจอร์มาเนียม และในพัฒนาการสุดท้ายของไอซี โรเบิร์ต นอยซ์ได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากซิลิคอน ในวันที่ 25 เมษายน ค.ศ. 1961

ประเภทของไอซีแบ่งตามจำนวนเกท

จำนวนของเกทต่อไอซีจะกำหนดประเภทของไอซี (IC) 1 เกท เท่ากับ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ 1 ชิ้น
- ขนาด SSI (Small Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1 ถึง 10 เกท
- ขนาด MSI (medium scale integration) จะมีตั้งแต่ 10 ถึง 100 เกท
- ขนาด LSI (large scale integration) จะมีตั้งแต่ 100 ถึง 10,000 เกท
- ขนาด VLSI (Very large scale integration ) จะมีตั้งแต่ 100,000 ถึง 10,000,000 เกท
- ขนาด ULSI (Ultra-Large Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1,000,000 เกทขึ้นไป

• ส่วนมากใช้เรียกไอซีที่มีจำนวนเกทสูงมากในประเทศญี่ปุ่น

กระบวนการผลิต IC (มีขา)

DC 

Dicing คือกระบวนการนำแผ่น Wafer มาตัดออกเป็นตัว Chip

DB 

Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว

WB 

Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ขานองลีดเฟรม

MP 

Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วย Resin หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว

PL 

Plating คือกระบวนการเคลือบ แผ่นเฟรมซึ่งจะกลายเป็นขาตัวงาน ด้วยตะกั่วหรือดีบุก

FL 

Form Lead คือกระบวนการตัดตัว IC ออกจากเฟรม และขึ้นรูปขางานตามแบบที่กำหนด

FT 

Final Test คือกระบวนการทดสอบทางไฟฟ้าขั้นสุดท้าย

TP 

ความหมายของคำศัพท์

TP 

ความหมายของคำศัพท์

กระบวนการผลิต IC (ไม่มีขา)

DG 

Dicing คือ การตัด IC ออกจากแผ่น IC รวม (Wafer) แยกเป็นแต่ละชิ้น

DB 

Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว epoxy

WB 

Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ลีดเฟรม

MO 

Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วยพลาสติก หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว

CU 

Post Mold Cure คือการนำ IC ไปอบด้วยความร้อน เพื่อลดความเครียดในชิ้นงาน

MK 

Marking คือ การใช้แสงเลเซอร์ ยิงไปบน IC เพื่อสลักเป็นชื่อ, รุ่น หรือ Lot ของ IC

BA 

Ball Attach คือ การติดลูกบอลตะกั่วลงบนบริเวณตำแหน่งที่จะทำการเชื่อมต่อกับแผงวงจร

BS 

Board Separate คือ การตัดแบ่ง IC แต่ละชิ้นแยกออกจากกัน

PS 

Package Sort คือ การนำ IC ที่ตัดแบ่งแล้ว แยกแต่ละชิ้นใส่ package